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Richard“XIWUER é muito inovativo. Proporcionaram o serviço excelente, intuitivo, anticipando no futuro a respeito do que nós pudemos precisar.” -
MikeDe “a dedicação XIWUER a projetar especificações diferentes cumprir nossas exigências de processamento estritas é um testamento a nossos anos de investigação e desenvolvimento.” -
Case“XIWUER tem capacidades impressionantes da pesquisa e demonstra boas capacidades da criação de protótipos e a qualidade de produto alta.”
Pessoa de Contato :
Wang Hong
Capacitor de maçaneta de porta de baixa dissipação de alta tensão com alta tensão resistente e resistência de isolamento para alimentação por RF
| Lugar de origem | XIAN, SHANNXI CHINA |
|---|---|
| Marca | XIWUER |
| Certificação | ISO9001,ISO14001,OHSAS18001 |
| Número do modelo | CT8-1-40KV-150PF |
| Quantidade de ordem mínima | 1 peça |
| Preço | Negociável |
| Detalhes da embalagem | Carton |
| Tempo de entrega | 10-15 dias |
| Termos de pagamento | L/c, t/t |
| Habilidade da fonte | 4.000.000 PCes um o ano |
Contacte-me para amostras grátis e vales.
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xDetalhes do produto
| Destacar | Condensador de maçaneta de porta de baixa dissipação de alta tensão,Capacitor de alimentação por RF de alta tensão resistente,Capacitor de maçaneta de porta HV de alta resistência ao isolamento |
||
|---|---|---|---|
Descrição de produto
Capacitores de maçaneta de alta tensão para fonte de alimentação RF
Especificações Técnicas
| Não. | Especificação | Dissipação | Suportando Tensão | Resistência de Isolamento | Dimensões (mm) |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 20kV-2000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
| 2 | 20kV-10000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:65 | H:15 | L:19 | D:12 | M:5 |
| 3 | 20kV-18000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:17 | L:25 | D:12 | M:5 |
| 4 | 30kV-1000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:24 | L:32 | D:12 | M:4 |
| 5 | 30kV-2700pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:60 | H:20 | L:28 | D:12 | M:4 |
| 6 | 30kV-12000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:45 | H:19 | L:23 | D:12 | M:5 |
| 7 | 40kV-150pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:74 | H:18 | L:26 | D:12 | M:5 |
| 8 | 40kV-500pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:28 | H:33 | L:41 | D:8 | M:4 |
| 9 | 40kV-7500pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:24 | L:29 | D:12 | M:6 |
| 10 | 40kV-10000pF | ≤0,0040 | 1,5Ur→ 1min | ≥1,0 x 105MΩ | D:80 | H:22 | L:26 | D:16 | M:5 |
Aplicação em Equipamentos PECVD
Nossos capacitores de maçaneta de alta tensão fornecem alta tensão estável para equipamentos de Deposição Química de Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD), essenciais para indústrias de semicondutores, fotovoltaicas e de revestimento óptico. Esses capacitores permitem a deposição em baixa temperatura de filmes finos de alta qualidade, mantendo o plasma estável e uniforme por meio do desempenho eficiente da fonte de alimentação de RF.
Desafios técnicos abordados
- Correspondência de impedância:Acoplamento de energia eficiente para cargas de plasma que mudam dinamicamente
- Manuseio de alta potência de RF:Suporta tensões elétricas de alta frequência e tensão
- Gerenciamento Térmico:Minimiza o acúmulo de calor proveniente de perdas dielétricas e de eletrodos
- Estabilidade a longo prazo:Evita o desvio de capacitância que afeta a taxa de deposição e a qualidade do filme
Solução: capacitores de maçaneta de alto Q e baixo ESR
- Transferência de energia eficiente:A baixa ESR minimiza a geração de calor com altas correntes de RF
- Estabilidade Térmica:O dielétrico cerâmico com compensação de temperatura mantém a capacitância estável
- Alta confiabilidade:A construção robusta garante longa vida útil em condições exigentes de RF
Benefícios para o cliente
- Melhor qualidade e consistência do filme através de correspondência de impedância estável
- Maior produtividade e rendimento com redução de interrupções no processo
- Custos operacionais mais baixos devido à redução do consumo de energia e manutenção
Nossos capacitores de maçaneta de alta tensão servem como "harmonizador de impedância" para equipamentos PECVD, permitindo deposição precisa em nível atômico para produção superior de filmes finos.
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